三星电子平泽工厂第二生产线开始量产

winniewei 提交于 周一, 08/31/2020
三星电子平泽工厂第二生产线开始量产

业界率先实现EUV制程第三代10纳米级LPDDR5 DRAM量产

  • 实现DRAM量产后,预计生产新一代VNAND与超精细制程的晶圆代工产品
  • 凭借更快更薄的产品抢占移动设备市场,下一步进军汽车电装市场

韩国首尔2020年8月30日 -- 三星电子平泽工厂第二生产线正式开工,首发量产产品是采用了EUV(Extreme Ultraviolet,极紫外光刻)制程的16Gb(吉字节)LPDDR5移动DRAM,开创业界先河。

三星电子平泽工厂第二生产线的建筑面积达12.89万平方米(相当于16个足球场),是全球最大规模的半导体生产线。

平泽工厂第二生产线首先实现DRAM量产,下一步计划生产新一代VNAND、超精细晶圆代工产品等,是一条技术尖端的综合生产线,将确保三星电子在第四次工业革命时代稳居半导体领域的核心地位。

平泽工厂第二生产线本次投放的16Gb LPDDR5移动DRAM 达到最大容量和最高速度,是第三代的10纳米(1z)LPDDR5产品,性能超过以往任何一个产品。

三星今年2月推出了第二代10纳米级(1y)制程,实现了 16Gb(吉字节)LPDDR5 DRAM的量产,短短六个月后勇攀高峰,再次升级生产线,生产出新一代1z制程的高新移动DRAM。

新产品较原有旗舰智能手机使用的12Gb移动DRAM(LPDDR5,速率5500Mb/s)提速16%,达到6400Mb/s。以16Gb产品为准,每秒可处理51.2Gb(吉字节)的数据,相当于10部全高清(Full HD)电影。

※ 速率:64帧(x64,JEDEC标准)封装为标准最高可达51。2Gb/s

16Gb LPDDR5移动DRAM可以仅由8个芯片构成16Gb的产品,较先前产品(8个12Gb芯片+4个8Gb芯片)在封装厚度上减少30%。从而为多摄像头、5G等零部件较多的智能手机,以及折叠屏手机等对厚度有较高要求的产品提供最佳解决方案。

三星作为向全球智能手机企业提供新一代1z16GB移动DRAM的生产商,计划抢占明年兼具5G通信和AI功能的旗舰智能手机新市场。同时三星电子计划提供耐高温性能的产品,有望将供货范围进一步扩大到汽车电装用途。

三星电子存储器事业部DRAM开发室副总裁李祯培表示,这次推出的1z纳米16Gb LPDDR5产品克服了史上最难攻克的技术性难关,创造了产品的新典范,突破精细制程的最高界限,未来三星电子的高新DRAM生产线将继续升级,更迅速地应对顾客需求,为扩大存储器市场贡献一份力量。

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